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器件半导体电荷安森美推出8款新器件用于消费和工业应用

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA),安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。

这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET,提供较低的导通阻抗(RDS(on)),将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比,降低传导和开关损耗。所有这些性能特性,使电源子系统能效更高。

安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“这些新的中等电压器件,壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案,满足我们消费和工业应用的扩大客户需求,强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”

器件

这些器件提供宽的规范点范围,让设计人员能够灵活地选择采用DPAK、D2PAK和TO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。现已提供样品和生产数量。根据不同器件,制造商建议零售价介于0.60美元至1.75美元之间。
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