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沟道功率产品瑞萨打造面向小型汽车电子功率的MOSFET产品

高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称瑞萨电子)正式宣布:推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品。新产品主要面向汽车电子控制单元(如引擎控制单元和泵电机控制单元)的应用,采用了8引脚HSON封装,在实现封装尺寸小于原有TO-252产品约一半的同时,还可实现高达75A的电流。

  作为半导体元件的MOSFET,由3个端子--栅极、漏极和源极组成,用于开关元件,可以通过向栅极发出信号来控制漏极和源极之间的导通。而功率MOSFET,则是用于处理几十安培或更高电流的产品。由于功率MOSFET用于实现大电流开关,因此降低元件产生的热量就变得尤为重要。为了解决这个问题,原来的功率MOSFET在设计上选择了具有出色散热特性的大封装。然而,随着用于汽车使用的电子控制单元数量的逐年增加,电子元件也逐步朝着外形更小巧、功能更强大的方向发展。这种趋势引发了对更小巧的功率MOSFET的需求。

  此次瑞萨电子推出的新款功率MOSFET产品正是为了满足上述需求。它们采用全新开发、适于汽车电子系统的8引脚HSON封装,同时保持了与早期MOSFET产品相同的性能。

  新产品包括额定电压为40V和60V的N-沟道MOSFET与额定电压为-30V的P-沟道MOSFET,可以用作各类线圈、电机和电池反向保护装置的开关等。其主要特性如下:

  (1)封装尺寸小,约为现有产品(TO-252)的一半

  新款产品所使用的全新8引脚HSON封装,其表面积为TO-252封装的一半。除了尺寸小以外,NP75N04YUG还能够保证实现1.09°C/W的沟道-外壳热阻(注释1)。这就意味着,在外壳温度固定在25°C的情况下,它可以处理138W的最高连续功率。因此,可以说其性能与采用TO-252封装的产品一样高。而其小于原有产品约一半的尺寸,则有助于设计出更小的汽车控制单元。

  (2)处理高达75A的大电流

  新款产品在芯片和引脚之间采用了在汽车应用领域具有出色记录的铝互连线。同时,多引线连接的设计也有助于改善大电流特性。因此,NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG这3款产品的功率MOSFET均可保证处理75A的连续电流。

  (3)在高达175°C的沟道温度下仍能保持其高性能

  新款功率MOSFET产品在175°C的温度下通过了1,000小时耐久性试验,符合AEC-Q101标准对汽车应用可靠性的要求。这就意味着这些MOSFET产品适于在高温环境下使用,如发动机舱等。

  瑞萨电子相信,新款功率MOSFET产品会实现更小巧的汽车控制单元,使得系统设计者能够有效利用汽车内的有限空间,并能为其增添更为高级的功能。

  注释1.沟道-外壳热阻:这是一个用以说明热量从沟道(芯片上发热部分)中散出的难易程度的指数。 数值越小越好。

  定价和供货情况

  目前新款功率MOSFET样品已开始供货。NP23N06YDG的单价为0.65美元,NP75N04YUG的单价为11.0美元。将于2010年7月开始批量生产,预计2012年度内月产量将达到200万片。(定价和供货情况如有变更,恕不另行通知。)

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