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三星出货量淡季第二季DRAM/NAND市场状况及厂营收排行

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下,全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD),较首季的93亿美元(9.29 Billion USD),成长约15%。在 NAND Flash 部分,品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元,较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。

三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠

从市场面观察,由于第二季 DRAM 合约价于首季小幅上扬, DDR3 2GB合约均价约46美元,较首季高约10%,现货市场方面,第二季 DDR3 颗粒均价与首季相比小跌3%,至2.77美元,DDR2 1Gb跌幅较深,但占 DRAM 厂商产出比例相对已大幅降低。

在资本支出方面,今年全球DRAM厂皆无扩大产能的计画,主要布局制程转进,根据集邦科技统计,第二季投片量仅比第一季微幅增加约3.8%,产出约增加10%。

从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析,集邦科技表示,韩系厂商三星(Samsung)营收仍居全球DRAM厂之冠,与首季相比续成长19.1%,市占率达33.9%,由于三星在制程上转换顺利,46nm与56nm制程皆以进入量产且良率稳定,下半年产出成长强劲。

尔必达(Elpida)受惠于子公司瑞晶63nm制程已全数转入,及从4月起取得力晶一半的DRAM产出,贡献约4000万颗粒(40M),营收与首季相比成长约18%。美光营收(于2010年6月3日结算,会计季度第三季)成长率约10%,主要来自均价季度成长9%。

台系厂方面,力晶第二季营收达5.1亿美元,与首季相比成长15%。南科第二季营收小幅成长约10%,预计下半年在产能将增加及制程转进下,营收有更大成长空间。茂德产能回复满载,营收季度成长约53.4%。

以各国市占率版图来分析,韩系厂商合计市占率高达55.3%,俨然成为全球DRAM产业的盟主,美系及日系厂商仍各有13.7%及18.3%的市占率,台系DRAM厂方面市占率则维持持平12.7%。

第二季NAND品牌供货商ASP下跌9%

DRAMeXchange统计,整体品牌NAND Flash供货商的第二季季位出货量成长约20%,但供货商增加TLC的产出量,且记忆卡客户提高具低成本优势TLC白牌记忆卡采购量,因此NAND Flash品牌供货商的第二季产品平均单价(ASP)较首季约下跌9%。

集邦科技表示,今年第二季部份供货商在一些系统产品客户的稳定OEM订单挹注下,得以减缓来自传统淡季效应及欧洲债信风暴的双重影响,尤其是苹果计算机(Apple)的 iPadiPhone 4 热 卖效应,更有助于降低记忆卡及UFD市场淡季冲击。

以NAND Flash品牌厂商单季营收排行来看,三星营收为19亿2,900万美元,市占率为40.4%,仍维持第一;东芝(Toshiba)营收为15亿7,900万美元,以市占率33.1% 仍排名第二;美光(Micron)为第三名,营收为5亿7,100万美元,市占率为12% ; 海力士(Hynix)为第四名,营收3亿9,400万美元;英特尔(Intel)列名第五,营收为3亿200万美元。

集邦科技表示,三星受惠于系统客户的订单,以弥补记忆卡及UFD客户的淡季需求,因此第二季季位出货量仍成长约25%,但在低成本TLC产品价格的影响下ASP也下跌约10%,使第二季营收成长12.8%,成为19亿2,900万美元,市占率为40.4%。

东芝受惠于系统产品客户及策略伙伴稳定订单,因此得以减缓价格降低的冲击,并维持稳定的出货成长,单季营收成长5.2%,成为15亿7,900万美元,第二季市占率为33.1%;海力士虽受淡季效应的影响ASP下跌约6%,但在调整客户结构的努力下,季位出货量成长达22%,因此第二季季营收成长达14.2%,成为3亿9,400万美元,第二季的市占率为8.3% 。

美光在今年5月已完成收购恒忆(Numonyx),未来将可增加其在行动装置应用的业务商机,在系统产品OEM及子公司Lexar订单的助力下,季位出货量稳定成长及ASP小跌,第二季季营收增加8.3%,成为5亿7,100万美元,第二季的市占率为12%。英特尔在淡季效应影响下,季位出货量稳定增加及ASP下跌,第二季季营收也增加8%,成为3亿200万美元,第二季市占率为6.3%。

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