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电源半导体平面飞兆半导体推出改进的顶级性能QFET® 平面 MOSFET

(华强电子世界网讯)飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新QFET® 平面 MOSFET系列, 采用先进的专利技术,为多种设备提供最佳的工作性能,包括电源、PFC (功率因子校正) 设备、DC/DC转换器、等离子显示板 (PDP)、照明镇流器和机动控制装置。

全新C系列(FQxxNxxC)和V2系列(FQxxNxxV2)MOSFET通过降低导通电阻(RDS(on))来减少导通损耗,并降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 以减少开关损耗,这不仅简化了电源的硬开关电路设计,还可简化服务器/电信电源管理、PDP电源管理和UPS设备谐振模式开关的电路设计。这些改进是从飞兆半导体专利DMOS技术与先进平面条状结构结合而来。通过采用先进的QFET工艺技术,飞兆半导体的平面MOSFET器件的性能因子(FOM)可比同类产品好出25%。

为了提高成本效益,新的QFET系列产品采用标准表面贴装和通孔型封装(TO-92, TO-92L, TO-126)。

产品价格由0.5至4.0美元 (订购1,000 个),现货供货,交货期为收到订单后8周内。(编辑 Kitty)
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