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美元盈余净利美光:下季DRAM和NAND Flash报价看跌

美系内存大厂美光(Micron)预测2011会计年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash报价将持续走跌,其中DRAM价格会下跌约25%,而NANDFlash价格会下跌约10%,美光表示,将致力于制程技术微缩,以期能持续降低生产成本,因应需求不如预期的市况。

受到个人计算机(PC)市场的终端需求不如预期,导致DRAM市场陷入严重供过于求,报价也持续下滑,加上NANDFlash报价也是持续有跌,美光2011会计年度第1季获利腰斩,但连续5个季度都交出连续获利成绩单,财报结果算是没有偏离市场预期太远。

美光2011年第1季营收为23亿美元,净利1.55亿美元,每股盈余0.15美元;与2010年第4季营收25亿美元相当,但与上季净利为3.42亿美元,第1季获利明显大幅度缩水,而上季每股盈余高达0.32美元,第1季每股盈余也是腰斩。

若与前1年同期2010年第1季相较,当年度营收为17亿美元,但净利达2.04亿美元,每股盈余达0.23美元,相形之下,2011年第1季的获利能力也同样降低。

2011年第1季内存产品线毛利率为26%,相较于2010年第4季37%大幅减少,主要是因为报价下跌的影响,但制造成本下降也抵销部分报价下跌的冲击。

美光表示,2011!年第1季DRAM和NANDFlash平均售价(ASP)分别下跌23%和15%~20%,展望第2季售价走势,预计DRAM和NANDFlash报价都会持续下跌,其中DRAM价格会下跌约25%,而NANDFlash价格会下跌约10%。

以2011年第1季美光的出货量和位成长率来看,DRAM出货量成长5%,位成长率下降3%;NAND Flash出货量成长20%,而位成长率则成长8%;展望第2季,美光表示,预计DRAM为位成长率将接近两位数,而NANDFlash位成长率约15%。

虽然预计DRAM和NAND Flash价格会持续往下,但美光在制程微缩脚步上也丝毫不懈怠,在转进50奈米制程后,也将尽快转进42奈米制程;美光表示,2011年第1季DRAM和NANDFlash成本分别下降10%和12%,预计第2季DRAM成本可再降近10%,NANDFlash将再降个位数。

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